无需EUV光刻机 铠侠开发NIL半导体工艺:直奔5nm

时间:2021-10-22 12:13:16 来源: 快科技


在半导体工艺进入 10nm 节点之后, EUV 工艺是少不了的,但是 EUV 光刻机价格高达 10 亿一台,而且产量有限,导致芯片生产成本很高。日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺,可以不使用 EUV 光刻机,工艺直达 5nm

据据日媒报导,铠侠从 2017 年开始与半导体设备厂佳能,以及光罩、模板等半导体零组件制造商 DNP 合作,在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术 (NIL) 的量产技术,铠侠已掌握 15nm 量产技术,目前正在进行 15nm 以下技术研发,预计 2025 年达成。

与目前已实用化的极紫外光 (EUV) 半导体制程细微化技术相比, NIL 更加减少耗能且大幅降低设备成本。

NIL 的微影制程较单纯,耗电量可压低至 EUV 生产方式的 10% ,并让设备投资降低至 40%

EUV 设备由 ASML 独家生产供应,不但价格高,且需要许多检测设备配合。

目前 NIL 在量产上仍有不少问题有待解决,包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。

如果铠侠能成功率先引进 NIL 量产技术,可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面,又能符合减少碳排放的需求。

对铠侠来说, NAND 组件采取 3D 堆叠立体结构,更容易因应 NIL 技术的微影制程。

铠侠表示,已解决 NIL 的基本技术问题,正在完善量产技术,希望能率先引入 NAND 生产。

根据 DNP 说法, NIL 技术电路精细程度可达 5nm DNP 2021 年春起,根据设备的规格值进行内部仿真。

DNP 透露,从半导体制造商询问增加,显示不少厂商对 NIL 技术寄予厚望。

而佳能则致力于将 NIL 技术广泛应用于制作 DRAM PC CPU 等逻辑 IC 的设备,供应多种类型的半导体制造商,将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。

【来源:快科技】【作者:宪瑞】


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